徐勇刚，男，讲师，湖北孝感人，1988年02月出生，2010年毕业于湖北大学物理学与电子技术学院，获物理学专业理学学士学位，2015年毕业于中国科学院大学（中国科学院上海技术物理研究所），获微电子学与固体电子学专业理学博士学位。

长期从事《半导体物理与器件》、《半导体器件建模与仿真》、《Linux系统编程技术》、《ARM微处理器开发技术》等课程的主讲工作，业务精良，课堂教学富有激情，教学技艺娴熟，教学效果良好。

研究方向为电化学储能材料与器件和自旋电子学材料与器件，先后在《Applied Physics Letter》、《Journal of Infrared and Millimeter Waves》、《Journal of Applied Physics》、《Journal of Crystal Growth》、《Applied Surface Science》、《Europhysics Letters》、《Infrared physics & technology》、《Advanced Engineering Forum》等刊物发表专业论文10余篇，其中十余篇被SCI、EI收录，申请发明专利4项。主持省部级科研项目2项，校级科研项目1项，参与国家自然科学基金3项，参与其它科研项目多项，主持和参与公司产品改革课题多项。

主要科研成果如下：

1. Yong Gang Xu^*; Xiang Yu Yan; Jing Xiang; Han Wen Ou; Wen Yao Yang ; Characterization of Sulfur/Graphitized Mesocarbon Microbeads Composite Cathodes for Li-S Batteries, Advanced Engineering Forum, 44: 87-94(2022).

2. Yonggang Xu, Meng Lv, Reng Wang, Yuauming Zhou, Tie Lin, Zhigang Chang, Guolin Yu,  Ning Dai, Junhao Chu, Spin susceptibility of two-dimensional electron system in HgTe surface quantum well, Appl. Phys. Lett. 105, 062404(2014).

3. Yonggang Xu, Meng Lv, Jianxin Chen, Tie Lin, Guolin Yu, Ning Dai, Junhao Chu, Zero-field spin splitting and high-field g-factor of an asymmetrical In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As quantum welll, J. Infrared Millim. Waves 34(6), 688(2015).

4. Yonggang Xu, Xiaolin Zhao, Meng Lv, Guolin Yu, Ning Dai, Junhao Chu, Quenching and temperature dependence of perpendicular magnetic anisotropy of Pt/Co multilayers, Proc. of SPIE Vol. 9522, 952212(2015).

5. Liuan Li, Yonggang Xu, Qingpeng Wang, Ryosuke Nakamura, Ying Jiang,Jiu-Ping Ao, Metal-oxide-semiconductor AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using TiN/AlO stack gate layer deposited by reactive sputtering, Semicond. Sci. Technol. 30(1), 015019(2015).

6. X.-Z. Liu, Y.-G. Xu, G.-L. Yu., T. Lin, S.-L. Guo, J.-H. Chu, Y.-G.. Zhang, The zero field spin splitting and Zeeman splitting in the In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As quantum well. J. Infrared Millim. Waves, 33(2), 134–138(2014). 

7. X. Z. Liu, Y. G. Xu, G. Yu, L. M. Wei, T. Lin, S. L. Guo, J. H. Chu, W. Z. Zhou, Y. G. Zhang, and D. J. Lockwood, The effective g-factor in In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As quantum well investigated by magnetotransport measurement,  J. Appl. Phys. 113, 033704(2013).

8. Meng Lv, Hao Wang, Yonggang Xu, Guolin. Yu, Huahan Zhang, Tie Lin, Gujin Hu, Ning Dai,  Junhao Chu, Long phase coherence length and anisotropic magnetoresistance in MgZnO thin film, J. Appl. Phys. 117, 155304 (2015).

9. Y. F. Lv, S. H. Hu, Y. G. Xu, W. Zhou, Y. Wang, R. Wang, G. L. Yu, N. Dai. High-purity InAs_1-xSb_x epilayer grown by LPE technique. Journal of Crystal Growth,416,96-99(2015).

10. Y. F. Lv, S. H. Hu, Y. G. Xu, Y. Zhang, Y. Wang, R. Wang, G. L. Yu, N. Dai. The complete absorption spectra of InAs_0.87Sb_0.13 films grown by liquid phase epitaxy. Applied Surface Science, 347, 286-290(2015).

11. Y. F. Lv, S. H. Hu, Y. G. Xu, Y. Wang, G. L. Yu, N. Dai. Two methods for characterizing the electrical properties of InAsSb alloy grown by liquid phase epitaxy. Proc. of SPIE Vol. 9522, 952216.

12. Meng Lv, Guolin Yu, Yonggang Xu, Tie Lin, Ning Dai, Junhao Chu, Magnetotransport Investigations of Two-Dimensional Electron Gas for AlGaN/GaN Heterostructure. Advanced Materials Research, 1058, 132(2014).

13. Lei Sun, Meng Lv, Xinzhi Liu, Yonggang Xu, Reng Wang, Tie Lin, Guolin Yu, Ning Dai. Junhao Chu, Zeeman splitting and spin-orbit interaction in Hg1−xCdxTe inversion layers, EPL (Europhysics Letters), 115(1), 17007(2016).

14. Y. F. Lv, S. H. Hu, W. Zhou, Y. G. Xu, Y. Wang, R. Wang, G. L. Yu, N. Dai. Band to band optical absorption in LPE-growth InAs_0.94Sb_0.06 film. Infrared physics & technology, 71(2015),175-178.

15. X. Z. Liu, G.. Yu, L. M. Wei, T. Lin, Y. G. Xu, J. R. Yang, D. J. Lockwood, The nonlinear Rashba effect in Hg_0.77Cd_0.23Te inversion layers probed by weak antilocalization analysis., Journal of Applied Physics, 113(1), 013704(2013) .

16. 徐勇刚, 俞国林, 吕蒙, 常志刚, 林铁, 戴宁, 褚君浩, 一种无接触式低温磁输运测试的样品杆, 发明专利申请号: 201310469928.X, 申请日：20131010，授权公告号：103529407B， 授权公告日： 2016.01.13

17. 吕蒙, 俞国林, 徐勇刚, 常志刚, 刘新智, 林铁, 孙雷, 褚君浩, 一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔, 发明专利申请号：201320623672.9， 申请日：2013.10.10， 授权公告号：203536549U， 授权公告日： 2014.04.09

18. 俞国林, 吕蒙, 徐勇刚, 常志刚, 刘新智, 林铁, 孙雷, 褚君浩, 一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的反射式谐振腔, 发明专利申请号：201320623759.6， 申请日：2013.10.10， 授权公告号：203536550U， 授权公告日： 2014.04.09

19. 杨文耀, 徐勇刚, 刘代军, 任晓霞,李杰, 严中婷, 李春林, 朱如志, 一种超级电容器隔膜,  发明专利申请号: 201811147048.X， 申请日: 2018-08-29，授权公告号: ZL201811147048X，授权公告日: 2020-09-18